Une méthode simple pour mesurer les trois broches d'un transistor avec un multimètre
Un transistor est composé d'un noyau (deux jonctions PN), de trois électrodes et d'une coquille. Les trois électrodes sont appelées collecteur C, émetteur E et base b. Le transistor couramment utilisé est un transistor planaire en silicium, qui est divisé en types PNP et NPN. Les tubes en alliage de germanium sont désormais rares. Ici, la maison de l'électricien introduit une méthode simple pour mesurer les trois broches d'un transistor avec un multimètre.
1. Identifiez la base et déterminez le type de transistor (NPN ou PNP)
Pour les transistors PNP, les pôles C et E sont respectivement les pôles positifs des deux jonctions PN à l'intérieur, et le pôle B est leur pôle négatif commun. Cependant, pour les transistors NPN, l'inverse est vrai: les pôles C et E sont respectivement les pôles négatifs des deux jonctions PN, et le pôle B est leur pôle positif commun. Sur la base de la petite résistance directe et de la grande résistance inverse de la jonction PN, il est facile de déterminer le type de base et de transistor. La méthode spécifique est la suivante:
Réglez le multimètre sur la position R × 100 ou R × 1K. Le stylo rouge entre en contact avec une certaine broche et le stylo noir est connecté aux deux autres broches séparément. De cette façon, trois ensembles de lectures (deux fois par ensemble) peuvent être obtenus. Lorsque l'un des ensembles a une faible valeur de résistance de plusieurs centaines d'ohms dans la deuxième mesure, si la broche commune est le stylo rouge, il contacte la base et que le type de transistor est PNP; Si la broche commune est une sonde noire, elle est également en contact avec la base et le type de transistor est NPN.
2. Distinguer les électrodes d'émetteur et de collecteur
En raison des différentes concentrations de dopage dans les deux régions P ou deux régions N pendant la production d'un transistor, si l'émetteur et le collecteur sont utilisés correctement, le transistor a une forte capacité d'amplification. Inversement, si l'émetteur et le collecteur sont utilisés de manière interchangeable, la capacité d'amplification est très faible, ce qui peut distinguer l'émetteur et le collecteur du transistor.
Après avoir identifié le type de transistor et la base B, les méthodes suivantes peuvent être utilisées pour distinguer le collecteur et l'émetteur.
Réglez le multimètre sur l'équipement R × 1K. Pincez la base et l'autre épingle ensemble à la main (veillez à ne pas laisser les électrodes se toucher directement). Pour rendre le phénomène de mesure évident, humidifiez vos doigts et connectez la sonde rouge à la broche pincée avec la base et la sonde noire à l'autre broche. Faites attention à l'amplitude du pointeur multimètre se balançant vers la droite. Échangez ensuite les deux broches et répétez les étapes de mesure ci-dessus. Comparez l'amplitude du pointeur se balançant vers la droite en deux mesures et trouvez celle avec la plus grande amplitude de swing. Pour les transistors de type PNP, connectez la sonde noire à la broche qui est pincée avec la base, répétez l'expérience ci-dessus et trouvez celle avec la plus grande amplitude swing de la sonde. Pour les transistors de type NPN, connectez la sonde noire au collecteur et la sonde rouge à l'émetteur. Pour le type PNP, la sonde rouge est connectée au collecteur et la sonde noire est connectée à l'émetteur.
Le principe de cette méthode de discrimination électrique est d'utiliser la batterie à l'intérieur du multimètre pour appliquer la tension au collecteur et à l'émetteur du transistor, ce qui lui donne une capacité d'amplification. Lorsque la base et le collecteur sont pincés à la main, il équivaut à appliquer un courant de polarisation vers le transistor par la résistance de la main, ce qui le rend conducteur. À l'heure actuelle, l'amplitude du pointeur se balançant vers la droite reflète sa capacité d'amplification, de sorte que l'émetteur et le collecteur peuvent être correctement distingués.
