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Comment améliorer le problème de l'élévation excessive de la température du transformateur d'alimentation à découpage

Sep 05, 2024

Comment améliorer le problème de l'élévation excessive de la température du transformateur d'alimentation à découpage

 

Dans les applications pratiques, une élévation excessive de la température se produit souvent sous deux aspects : le transistor MOS du transformateur de puissance et la conception du transformateur lui-même. Aujourd'hui, nous partirons de ces deux aspects pour voir comment résoudre efficacement le problème de l'échauffement excessif des transformateurs de puissance à découpage.


Dans les applications pratiques, une élévation excessive de la température se produit souvent sous deux aspects : le transistor MOS du transformateur de puissance et la conception du transformateur lui-même. Aujourd'hui, nous partirons de ces deux aspects pour voir comment résoudre efficacement le problème de l'échauffement excessif des transformateurs de puissance à découpage.


Premièrement, du point de vue du transformateur lui-même, une augmentation élevée de la température et une surchauffe sont principalement causées par quatre problèmes : la perte de cuivre, les problèmes de processus d'enroulement, la perte de fer du transformateur et la puissance de conception du transformateur trop faible. Aucun échauffement de charge n'est causé par une défaillance d'isolation du transformateur ou une tension d'entrée élevée du transformateur. Une défaillance d'isolation nécessite un rembobinage de la bobine et une tension d'entrée élevée nécessite de réduire la tension d'entrée ou d'augmenter le nombre de bobines. Si la tension est normale et qu'elle chauffe avec une charge, cela signifie que la charge sur le transformateur de puissance est trop élevée et doit être modifiée dans sa conception de charge.


Dans le processus de conception des transformateurs de puissance à découpage, l'échauffement des transistors MOS est le plus grave et le problème de l'échauffement élevé est causé par les pertes. La perte des transistors MOS se compose de deux parties : la perte du processus de commutation et la perte de l'état passant. Pour réduire la perte d'état passant, des transistors de commutation à faible résistance d'état peuvent être utilisés. La perte du processus de commutation est causée par la taille de la charge de grille et le temps de commutation. Pour réduire la perte du processus de commutation, des appareils offrant une vitesse de commutation plus rapide et un temps de récupération plus court peuvent être sélectionnés. Mais plus important encore, en concevant de meilleures méthodes de contrôle et techniques de mise en mémoire tampon pour réduire les pertes, par exemple en utilisant une technologie de commutation douce, ces pertes peuvent être considérablement réduites.


De plus, il est également possible que l'échauffement du transformateur de puissance lui-même soit trop élevé, ce qui signifie que le transformateur lui-même a subi un vieillissement. Lorsque l'ingénieur vérifie le transformateur lui-même et le transistor MOS et ne trouve aucune anomalie, il est nécessaire de porter un jugement complet basé sur le temps de travail et la durée de vie du transformateur.

 

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