Comment utiliser le multimètre pour tester le module IGBT
1, déterminer la polarité
Tout d'abord, définissez le multimètre sur la position R × 1K. Lors de la mesure avec le multimètre, si la résistance entre un poteau et les deux autres pôles est infinie et que la résistance entre ce poteau et les deux autres pôles est encore infinie après avoir échangé les sondes, il est déterminé que ce pôle est la porte (g). Mesurez les deux pôles restants avec un multimètre. Si la résistance mesurée est infinie, remplacez la sonde et mesurez une résistance plus petite. Dans la mesure d'une petite valeur de résistance, il est déterminé que la sonde rouge est connectée au collecteur (C); La sonde noire est connectée à l'émetteur (E).
2, juger bien du mal
Réglez le multimètre sur la position R × 10K, connectez la sonde noire au collecteur (C) de l'IGBT et de la sonde rouge à l'émetteur (E) de l'IGBT. À ce stade, le pointeur du multimètre est à zéro. Touchez à la fois la porte (G) et le collecteur (C) avec vos doigts en même temps, et l'IGBT sera déclenché pour mener. Le pointeur du multimètre se balancera vers la direction de la résistance plus faible et peut s'arrêter d'indiquer une certaine position. Ensuite, touchez la porte (G) et l'émetteur (E) simultanément avec vos doigts, et l'IGBT est bloqué, ce qui fait revenir le pointeur multimètre à zéro. À ce stade, il peut être déterminé que l'IGBT est bon.
3, tout multimètre de pointeur peut être utilisé pour détecter IGBT
Lorsque vous jugez la qualité de l'IGBT, assurez-vous de régler le multimètre sur la position R × 10K, car la tension de la batterie interne de chaque multimètre sous la position R × 1K est trop faible, et l'IGBT ne peut pas être activé pendant l'inspection, ce qui rend impossible de déterminer la qualité de l'IGBT. Cette méthode peut également être utilisée pour détecter la qualité des transistors à effet de champ de puissance (P-MOSFET).
Détection du module IGBT de l'onduleur:
Définissez le multimètre numérique sur le mode de test des diodes et testez les caractéristiques des diodes avant et inverse entre les modules IGBT C1 E1, C2 E2, ainsi qu'entre Gate G et E1, E2, pour déterminer si le module IGBT est intact.
Prendre le module à six phases comme exemple. Retirez les fils des phases U, V et W du côté de charge, utilisez un mode de test de diode, connectez la sonde rouge à P (collectionneur C1) et mesurez U, V et W séquentiellement avec la sonde noire. Le multimètre affiche la valeur maximale; Inverser la sonde, connecter la sonde noire à P et utiliser la sonde rouge pour mesurer U, V et W. Le multimètre affiche une valeur d'environ 400. Connectez la sonde rouge à N (Emitte E2) et la sonde noire pour mesurer U, V et W. Le multimètre affiche une valeur d'environ 400; Connectez la sonde noire à P, mesure U, V et W avec la sonde rouge, et le multimètre affiche la valeur maximale. Les caractéristiques avant et inverse entre chaque phase doivent être les mêmes. S'il y a une différence, cela indique que les performances du module IGBT se sont détériorées et doivent être remplacées. Lorsque le module IGBT est endommagé, seule des situations de rupture et de court-circuit se produisent.
Les sondes rouges et noires sont utilisées pour mesurer les caractéristiques avant et inverse entre la porte G et l'émetteur E. Si le multimètre mesure la valeur maximale deux fois, il peut être déterminé que la porte du module IGBT est normale. S'il y a un affichage numérique, les performances de la porte se détériorent et ce module doit être remplacé. Lorsque les résultats des tests avant et inverse sont nuls, cela indique que la porte détectée d'une phase a été décomposée et court-circuité. Lorsque la porte est endommagée, le régulateur de tension qui protège la porte sur la carte de circuit imprimé se décomposera également et sera endommagé.
