1. Grossissement
Contrairement aux microscopes optiques ordinaires, au SEM, le grossissement est contrôlé en contrôlant la taille de la zone de numérisation 3-. Si un grossissement plus important est requis, numérisez simplement une zone plus petite. Le grossissement est obtenu en divisant la zone écran/photo par la zone de numérisation. Par conséquent, en SEM, l'objectif n'a rien à voir avec le grossissement.
2. Profondeur de champ
Dans SEM, les points d'échantillonnage situés dans une petite zone de couche au-dessus et au-dessous du plan focal peuvent être bien focalisés et imagés. L'épaisseur de cette petite couche est appelée profondeur de champ et est généralement de quelques nanomètres d'épaisseur, de sorte que le SEM peut être utilisé pour l'imagerie 3D d'échantillons à l'échelle nanométrique.
3. Volume des actions
Le faisceau d'électrons n'interagit pas seulement avec les atomes à la surface de l'échantillon, il interagit en fait avec les atomes de l'échantillon dans une certaine plage d'épaisseur, il existe donc un "volume" d'interaction. L'épaisseur du volume d'action varie en fonction du signal :
Électronique Ou Ge : 0.5~ 2nm.
Électrons secondaires : 5 A, pour les conducteurs, λ=1 nm ; pour les isolants, λ=10 nm.
Électrons rétrodiffusés : 10 fois celui des électrons secondaires.
Rayons X caractéristiques : échelle du micron.
Continuum de rayons X : légèrement plus grand que les rayons X caractéristiques, également à l'échelle du micromètre.
4. Distance de travail
La distance de travail fait référence à la distance verticale entre l'objectif et le point le plus élevé de l'échantillon.
Si la distance de travail est augmentée, une plus grande profondeur de champ peut être obtenue à condition que les autres conditions restent inchangées.
Si la distance de travail est réduite, une résolution plus élevée peut être obtenue ceteris paribus.
La distance de travail couramment utilisée est comprise entre 5 mm et 10 mm.
5. Imagerie
Les électrons secondaires et les électrons rétrodiffusés peuvent être utilisés pour l'imagerie, ce dernier n'est pas aussi bon que le premier, donc les électrons secondaires sont généralement utilisés.
6. Analyse de surface
Le processus de génération d'électrons Og, de rayons X caractéristiques et d'électrons rétrodiffusés sont tous liés aux propriétés atomiques des échantillons, de sorte qu'ils peuvent être utilisés pour l'analyse de la composition. Cependant, comme le faisceau d'électrons ne peut pénétrer qu'une couche très peu profonde de la surface de l'échantillon (voir volume d'action), il ne peut être utilisé que pour l'analyse de surface.
L'analyse caractéristique aux rayons X est l'analyse de surface la plus couramment utilisée, et deux types de détecteurs sont utilisés : l'analyseur de spectre d'énergie et l'analyseur de spectre. Le premier est rapide mais pas précis, le second est très précis et peut détecter la présence d'oligo-éléments mais prend trop de temps.
