Comment juger de la qualité des composants avec un multimètre
1. Détection de diodes ordinaires
Mesurez avec un multimètre MF47, connectez les sondes rouges et noires aux deux extrémités de la diode, lisez la lecture, puis échangez les sondes contre la mesure. Sur la base des résultats de deux mesures, la valeur de résistance directe des diodes de germanium basse puissance est généralement 300-500 ω, tandis que celle des diodes de silicium est d'environ 1k ω ou plus. La résistance inverse du tube de germanium est de plusieurs dizaines de kiloohms, et la résistance inverse du tube de silicium est supérieure à 500k ω (la valeur de la diode haute puissance est beaucoup plus petite). Une bonne diode a une faible résistance vers l'avant et une résistance inverse élevée, et plus la différence de résistance avant et inverse est grande, mieux c'est. Si la résistance avant et inverse mesurée est très petite et proche de zéro, elle indique que la diode est court-circuité en interne; Si la résistance avant et inverse est très élevée ou tend à l'infini, cela indique qu'il y a un circuit ouvert à l'intérieur du tube. Dans les deux cas, la diode doit être abandonnée.
Sur les essais sur la route: le test de la résistance directe et inverse de la jonction PN diode permet de déterminer plus facilement si la diode connaît un court-circuit de panne ou un circuit ouvert.
2. Détection de la jonction PN
Réglez le multimètre numérique sur le mode Diode et mesurez la jonction PN avec la sonde. S'il mène dans le sens avant, le numéro affiché est la chute de tension directe de la jonction PN. Tout d'abord, déterminez les électrodes collectionneurs et émetteurs; Mesurez la chute de tension directe de deux jonctions PN avec une sonde, où l'émetteur a une chute de tension plus élevée et le collecteur a une chute de tension inférieure. Lors du test de deux jonctions, si la sonde rouge est connectée au pôle commun, le transistor testé est de type NPN et la sonde rouge est connectée à la base B; Si la sonde noire est connectée à la borne commune, le transistor testé est de type PNP et ce terminal est la base b. Une fois le transistor endommagé, il y a deux situations pour la jonction PN: court-circuit et circuit ouvert.
Dans les tests de circuit: dans les tests de circuit d'un transistor est en fait obtenu en testant la résistance directe et inverse de la jonction PN pour déterminer si le transistor est endommagé. La résistance aux branches est supérieure à la résistance directe de la jonction PN. Normalement, il devrait y avoir une différence significative dans la résistance directe et inverse mesurée, sinon la jonction PN sera endommagée. Lorsque la résistance de la branche est inférieure à la résistance directe de la jonction PN, la branche doit être déconnectée, sinon la qualité du transistor ne peut être déterminée.
3. Détection du module de pont de redresseur triphasé
Prendre le module de pont de redresseur Semikron comme exemple, comme indiqué sur la figure attachée. Réglez le multimètre numérique sur le mode test de diode, connectez la sonde noire à COM et la sonde rouge sur V ω et utilisez les sondes rouges et noires pour mesurer les caractéristiques de diodes avant et inversées entre les phases 3, 4 et 5 et les pôles 2 et 1, respectivement, pour vérifier et déterminer si le pont redresseur est intact. Plus la différence dans les caractéristiques positives et négatives mesurées est grande, mieux c'est; Si les directions avant et inverse sont nulles, cela indique que la phase détectée a été décomposée et court-circuité; Si les directions avant et inverse sont infinies, cela indique que la phase détectée a été déconnectée. Si une phase du module de pont de redresseur est endommagée, elle doit être remplacée.
4. Détection du module IGBT de l'onduleur
Définissez le multimètre numérique sur le mode de test des diodes et testez les caractéristiques des diodes avant et inverse entre les modules IGBT C1. E1 et C2. E2, ainsi qu'entre entre Gate G et E1, E2, pour déterminer si le module IGBT est intact.
