Identification et jugement du FET à l'aide d'un multimètre
Transistor à effet de champ, abrégé en FET. Un transistor typique est composé de deux polarités de porteurs de charge, à savoir des porteurs de charge majoritaires et des porteurs de charge minoritaires de polarité opposée, participant à la conduction, d'où son nom de transistor bipolaire. En revanche, le FET n'est composé que de porteurs de charge majoritaires participant à la conduction, et il est à l'opposé du transistor bipolaire, également appelé transistor unipolaire. Il appartient aux dispositifs semi-conducteurs contrôlés en tension et présente les avantages d'une résistance d'entrée élevée (108-109 Ω), d'un faible bruit, d'une faible consommation d'énergie, d'une large plage dynamique, d'une intégration facile, d'aucun phénomène de panne secondaire et d'une large zone de travail sûre. Il est devenu un concurrent sérieux des transistors bipolaires et des transistors de puissance.
Test des transistors à effet de champ
1. Identification des broches du transistor à effet de champ à jonction :
La grille d'un transistor à effet de champ équivaut à la base du transistor, et la source et le drain correspondent respectivement à l'émetteur et au collecteur du transistor. Placez-le dans la plage R × 1k et utilisez deux sondes pour mesurer la résistance directe et inverse entre chacune des deux broches. Lorsque les résistances directe et inverse entre deux broches sont égales, toutes deux de l'ordre de K Ω, ces deux broches sont le drain D et la source S (interchangeables), et la broche restante est la grille G. Pour un transistor à effet de champ à jonction à quatre broches, l'autre pôle est le blindage (mis à la terre pendant l'utilisation).
2. Porte du jugement
Touchez une électrode du tube avec la sonde noire du multimètre et touchez les deux autres électrodes avec la sonde rouge. Si les valeurs de résistance mesurées deux fois sont toutes deux très petites, cela indique qu’il s’agit toutes deux de résistances directes. Ce transistor appartient au transistor à effet de champ à canal N et la sonde noire est également connectée à la grille.
Le processus de fabrication détermine que la source et le drain du transistor à effet de champ sont symétriques, interchangeables et n'affectent pas le fonctionnement normal du circuit, il n'est donc pas nécessaire de les distinguer. La résistance entre la source et le drain est de l’ordre de plusieurs milliers d’ohms.
Notez que cette méthode ne peut pas être utilisée pour déterminer la grille d’un transistor à effet de champ à grille isolée. Étant donné que la résistance d'entrée de ce type de tube est extrêmement élevée et que la capacité inter-électrode entre la grille et la source est très faible, une petite quantité de charge peut former une haute tension sur la capacité inter-électrode pendant la mesure, ce qui peut facilement endommager le tube.
